![[PukiWiki]](image/pukiwiki.png "[PukiWiki]")
[[RecentAchievements]] For publications and invited talks at international conferences, see [[Recent Publications]] *2015 [#r32e6bac] **学会・研究会特別講演 [#ld7e50d2] **和文論文 [#o7e0f896] **国際会議 [#u284eab0] +亀田MSS +和田SSDM **研究会 [#h263c5f3] **学会 [#s4b381bc] +亀田応物秋 +柳瀬応物春 +和田応物春 +薗田応物春 *2014 [#r32e6bac] **学会・研究会特別講演 [#ld7e50d2] **和文論文 [#o7e0f896] **国際会議 [#u284eab0] +和田SSDM +崔SSDM +崔IEEE NANO **研究会 [#h263c5f3] +薗田EMS **学会 [#s4b381bc] *2013 [#u2da3f34] **学会・研究会特別講演 [#j9f9330d] **和文論文 [#a5807935] **国際会議 [#a86e2713] +小橋ISCS +小橋ISANN +小野寺ISANN +柳瀬ISANN +内田SSDM **研究会 [#u9a1a2b4] +和田EMS **学会 [#kc36bb7d] + 和田秋応物 + 小橋春応物 +小橋 義典, 原 真二郎, 本久 順一, “InGaAs ナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響”, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月 *2012 [#qa85c9eb] **学会・研究会特別講演 [#u865c102] **和文論文 [#ee82497d] **国際会議 [#qb7ebe90] + 小橋SSDM **研究会 [#ef3e6f1d] + 小橋 EMS + 柳瀬 EMS + 小野寺 ナノエピ **学会 [#w08da0be] +小橋 秋応物 + 柳瀬秋応物 +小橋 義典, 崎田 晋哉, 原 真二郎, 本久 順一, “2 段階 MOVPE 選択成長による極微細・位置制御 InGaAs? ナノワイヤの形成”, 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月 +柳瀬祥吾、小橋義典、池尻圭太郎、原真二郎、本久順一 "(111)A面上へのSA-MOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長モード", 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月 + 小野寺秋応物 + 山本 応物支部 *2011 [#o6e2cd65] **学会・研究会特別講演 [#pab8419d] +池辺将之、下山荘介、本久順一 「高ダイナミックレンジ画像合成技術と適応的局所トーンマッピング」 2011年春季第58回応用物理学連合講演会講演予稿集、2011年3月 +本久順一、福井孝志 「有機金属気相選択成長による量子ドット包含ナノワイヤの形成」 2011年春季第58回応用物理学連合講演会講演予稿集、2011年3月 **和文論文 [#m05cac36] **国際会議 [#nf9a7b71] +ISCS (小橋) +SSDM (小橋) +SSDM (前田) +QNN (小林) +MNC (小林) +MRS Fall Meeting (池尻) +MRS Fall Meeting (本久) +ISANN (前田) +ISANN (小橋) +ISANN (小林) **研究会 [#y4161284] + 本久順一、 「有機金属気相選択成長による半導体ナノワイヤの形成と応用 」 第27回 CUTEセミナー(三重大学)、三重 (2011年3月) +本久順一 「有機金属気相選択成長による量子ドット包含ナノワイヤの形成と評価」 CREST シンポジウム トップダウンとボトムアップの融合による ナノ構造の作製と新機能発現、東京、2011年10月 **学会 [#e6524330] +本久順一、比留間健之、福井孝志 「半導体ナノワイヤアレイにおける光吸収」 2011年春季第58回応用物理学連合講演会講演予稿集、2011年3月 +冨岡克広、吉村正利、本久順一、原真二郎、比留間健之、福井孝志 「Si上のInGaAsナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタ」 2011年春季第58回応用物理学連合講演会講演予稿集、2011年3月 +小橋義典、佐藤拓也、原真二郎、福井孝志、本久順一 「MOVPE選択成長法による高In供給下におけるInGaAsナノワイヤ形成と成長メカニズムの変化」 2011年春季第58回応用物理学連合講演会講演予稿集、2011年3月 +小林悠太、小橋義典、原慎二郎、本久順一 「縦型InAsナノワイヤFETの作製と評価」 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会、山形市、2011年8月 +池尻圭太郎、北内悠介、冨岡克広、本久順一、福井孝志 「MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤの構造相転移機構」 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会、山形市、2011年8月 +小橋義典、佐藤拓也、池尻圭太郎、冨岡克広、原真二郎、本久順一 「MOVPE選択成長法によるInGaAsナノワイヤ成長におけるIII族供給比に依存した成長温度依存性の変化」 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会、山形市、2011年8月 +前田 応物支部 *2010 [#ad83ed1d] **学会・研究会特別講演 [#m257a3d8] +本久順一、福井孝志、原真二郎、比留間健之、冨岡克広：「MOVPE選択成長を用いたIII-V族半導体ナノワイの形成と応用」、応用物理学会結晶工学分科会 第132回結晶工学分科会研究会、2010年4月、東京都目白区 +本久順一・田中智隆・冨岡克広・福井孝志：「InAs系ナノワイヤトランジスタ」、電子情報通信学会2010年総合大会シンポジウム、2010年3月、仙台市 **和文論文 [#ya343d2b] +五十嵐正樹，池辺将之，下山荘介，山野健太，本久順一： 「フィルタカーネルサイズの依存性を持たない高速2-Dバイラテラルフィルタ演算手法の提案」 **国際会議 [#u73d4a62] +磯村MBE +小橋SSDM +藤沢SSDM +吉村SSDM +高山ISCS +小林(本久) IPRM **研究会 [#o1b3767a] +J. Motohisa, "Nanowire Nanolasers", 2010 International Joint Workshop, Sapporo, Feburary 2010. +小橋EMS +磯村EMS +井上EMS **学会 [#rb69c35a] +中井：応物秋 +冨岡克広，本久順一，原真二郎，比留間健之，福井孝志 「MOVPE選択成長法と再成長によるシリコン基板上のGaAs/InAs/GaAsナノワイヤ量子井戸の作製」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +井上理樹，佐藤拓也，池辺将之，原真二郎，福井孝志，本久順一 「熱ナノインプリントを利用したMOVPE選択成長」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +佐藤拓也，本久順一，原真二郎，佐野栄一，福井孝志 「InPナノワイヤを用いたInAsチューブチャネルFETの作製と評価」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +吉村正利，冨岡克広，比留間健之，原真二郎，本久順一，福井孝志： 「MOVPE選択成長によるInGaAsナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +藤澤翔太，林田 淳，佐藤拓也，本久順一，原真二郎，福井孝志： 「GaAs基板上のGaAsPナノワイヤのMOVPE選択成長」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +高山雄大，冨岡克広，福井孝志，本久順一： 「有機金属気相成長法によるGaAs上へのGaSb選択成長」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +磯村暢宏，橋詰 保，本久順一： 「RF-プラズマ支援分子線エピタキシー法を用いたSi(111)基板上GaN成長」第57回応用物理学会関係連合講演会, 厚木市, 2010年3月. +申 武雄・池辺将之・牧原幸伸・本久順一・佐野栄一：「TDC付きシングルスロープADCの特性解析」、電子情報通信学会2010年総合大会、2010年3月、仙台市 +牧原幸伸・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価」、電子情報通信学会2010年総合大会、2010年3月、仙台市 +近藤 亮・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器」、電子情報通信学会2010年総合大会、2010年3月、仙台市 +高山 雄大、富岡 克広、福井 孝志、本久 順一： 「有機金属気相成長法によるGaSb選択成長 」、 第45回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌, 2010年1月 +藤澤 翔太，林田 淳，佐藤 拓也，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志 ： 「GaAsPナノワイヤ」、 第45回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 札幌, 2010年1月 *2009 [#a789d172] **学会・研究会特別講演 [#r786deeb] +本久順一：「半導体ナノワイヤのデバイス応用」、第70回応用物理学会学術講演会シンポジウム, 富山, 2009年9月. **国際会議 [#v3ed04ec] +T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, E. Sano and T. Fukui: “Study on InAs Tubular Channel Nanowire FETs”, the 3rd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials (ICON 2009), Atlanta, Georgia, USA, December 7-9, 2009, A111, p. 76. + K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui: “Fabrication of GaAs Nanowire-Based Light Emitting Diode Array on Si Substrate”, the 3rd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials (ICON 2009), Atlanta, Georgia, USA, December 7-9, 2009, A97, p. 17. + K. S. K. Varadwaj, J. Motohisa, S. Soundeswaran, T. Sato, B. Hua, M. van Kouwen, V. Zwiller, S. Hara and T. Fukui: “Highly Polarized Lasing Emission in Single GaAs/AlGaAs/GaAs Core-Shell Nanowires”, the 3rd International Conference on One-Dimensional Nanomaterials (ICON 2009), Atlanta, Georgia, USA, December 7-9, 2009, A106, p. 46. + T. Tanaka, K. Tomioka, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: “Vertical Surrounding Gate Field Effect Transistors using InAs Nanowires on Si Substrates”, the 2009 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 30-December 4, 2009, M17.3. +K. Tomioka, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui: “Fabrication of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-Based Light Emitting Diode Array on Si Substrate”, the 2009 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, November 30-December 4, 2009, M10.2. +T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, E. Sano and T. Fukui: “Fabrication and Electrical Characterization of InAs Tubular Channel Nanowire FETs”, the 2009 International Symposium on Advanced Nanostructures and Nanodevices (ISANN 2009), Kaanapali, Maui, Hawaii, USA, November 29-December 4, 2009, pp. 91-92. +K. S. K. Varadwaj, J. Motohisa, S. Soundeswaran, T. Sato, B. Hua, M. van Kouwen, V. Zwiller, S. Hara and T. Fukui: “Polarization Sepctroscopy of Single GaAs/AlGaAs/GaAs Core-Shell Nanowire Nanolasers below and above Lasing Threshold”, the 2009 International Symposium on Advanced Nanostructures and Nanodevices (ISANN 2009), Kaanapali, Maui, Hawaii, USA, November 29-December 4, 2009, pp. 172-173. +K. Tomioka, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui: “GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire-Based Light Emitting Diode Arrays on Si Substrate”, the 22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2009), Sapporo, Japan, November 16-19, 2009, pp. 474-475. +A. Hayashida, T. Sato, S. Hara, J. Motohisa, K. Hiruma and T. Fukui: “Fabrication of a GaAs Quantum Well Embedded in AlGaAs/GaAs Hetero-Structure Nanowires by Selective-Area MOVPE”, the 4th Nanowire Growth Workshop (NWG 2009), Paris, France, October 26-27, 2009, p. xx. +T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, E. Sano, K. Hiruma and T. Fukui: “Growth of Tubular InAs Nanowires for FET Applications”, the 4th Nanowire Growth Workshop (NWG 2009), Paris, France, October 26-27, 2009, p. xx. +K. Hiruma, H. Yoshida, K. Ikejiri, T. Sato, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: “Analysis of Twin Development During Selective-Growth of GaAs Nanowires by Using Catalyst-Free Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy”, the 4th Nanowire Growth Workshop (NWG 2009), Paris, France, October 26-27, 2009, p. xx. + T. Tanaka, K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: "Fabrication of InAs Nanowire Vertical Surrounding-Gate Field Effect Transistor on Si Substrates", the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai, Japan, October 6-9, 2009, pp. xx-xx. + M. Yoshimura, K. Tomioka, K. Hiruma, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: “Growth and Characterization of InGaAs Nanowires Formed on GaAs (111)B by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, the 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2009), Sendai, Japan, October 6-9, 2009, pp. xx-xx. +H. Sasakura, H. Kumano, I. Suemune, J. Motohisa, Y. Kobayashi, K. Tomioka, T. Fukui, N. Akopian, M. van Kouwen, and V. Zwiller, "Exciton coherence in clean single InP/InAsP/InP nanowire quantum dots emitting in infra-red measured by fourier spectroscopy", 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronicsa and Nanostructures (EDISON 16),
24–28 August 2009, Montpellier, France. +Yasuaki Masumoto, Ken Goto, Bipul Pal, Michio Ikezawa, Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui: "Spectral diffusion of type-II excitons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires", the 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan, July 19 - 24, 2009. +Y. Kitauchi, K. Tomioka, Y. Kobayashi, S. Hara, T. Fukui, and J. Motohisa: Structural transition of InP nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy", the 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan, July 19 - 24, 2009. + M. Yoshimura, K. Tomioka, K. Hiruma, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: “Growth Temperature Dependence of InGaAs Nanowires Grown on GaAs (111)B by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), Moriyama, Japan, July 8-10, 2009, pp. xx-xx. + K. Tomioka, T. Tanaka, M. Yoshimura, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui: “Growth of Vertically Aligned III-V Compound Semiconductor Nanowires by Selective-Area MOVPE”, the 28th Electronic Materials Symposium (EMS-28), Moriyama, Japan, July 8-10, 2009, pp. xx-xx. +Yusuke Kitauchi, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka, Yasunori Kobayashi and Takashi Fukui : "Structural Transition of InP Nanowires Grown by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy", the 2009 Material Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 13-17, 2009. +Katsuhiro Tomioka, Yasunori Kobayashi, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara and Takashi Fukui: "Fabrication of Axial Heterostructures in III-V Nanowires by Selective-area MOVPE with Regrowth Method", the 2009 Material Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 13-17, 2009. +Katsuhiro Tomioka, Yasunori Kobayashi, Tomotaka Tanaka, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Kenji Hiruma and Takashi Fukui: : "Growth of p/n-doped GaAs-AlGaAs Core-multi-shell Nanowire Array on Si(111) by Selective-area MOVPE", the 2009 Material Research Society (MRS) Spring Meeting, San Francisco, California, USA, April 13-17, 2009. **研究会 [#k9b60a1e] + T. Fukui, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma and J. Motohisa: ``III-V Semiconductor Nanowires and Their Device Application'', the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 8-9. + T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Study on Ga Composition of InGaAs Nanowires Grown by SA-MOVPE'', the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 44-45. + B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Near-Infrared GaAs/GaAsP Core-Shell Nanowire Lasers”, the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 42-43. + K. Tomioka, Y. Kobayashi, Y. Kitauchi, T. Tanaka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma and T. Fukui: ``Growth of Vertically-Aligned III-V Nanowires on Si Substrate by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 40-41. + K. Hiruma, K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: ``Growth Mechanism of GaAs Nanowires Obtained by Using Catalyst-Free Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 38-39. + Y. Kobayashi, Y. Kitauchi, K. Tomioka, T. Fukui, and J. Motohisa: "InP-based Nanowires and Quantum Dots Grown by Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy", the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 47. + Y. Kitauchi, Y. Kobayashi, J. Motohisa, and T. Fukui: "Growth mode and structural transition of InP nanowires in selective-area metalorganic vapor phase epitaxy", the 2009 RCIQE International Seminar on ``Advanced Semiconductor Materials and Devices”, Sapporo, Japan, March 2-3, 2009, pp. 46. +北内悠介・本久順一・小林靖典・福井孝志：「有機金属気相選択成長によるInPナノワイヤの成長と構造相転移」 電子情報通信学会 電子デバイス研究会（ED）・シリコン材料・デバイス研究会(SDM)、2009年2月、札幌 +Nobuhiro Isomura, Tamotsu Hashizume, Junichi Motohisa: ``Growth of GaN using Electron-Cyclotrony-Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy'', The 2nd International Symposium on Global COE Program of Center forNext-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2009), January 20-21, 2009, Sapporo. + Takaya Sato, Yasunori Kobayashi, Junichi Motohisa, Shinjiro Hara, Takashi Fukui: ``SA-MOVPE Growth and Composition Evaluation of InGaAs Nanowires'', The 2nd International Symposium on Global COE Program of Center forNext-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2009), January 20-21, 2009, Sapporo. + Yukinobu Makihara, Masayuki Ikebe, Junichi Motohisa, Eiichi Sano: ``Frequency and Phase Lock Operation Consisting of Clock-Period Comparator'', The 2nd International Symposium on Global COE Program of Center forNext-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2009), January 20-21, 2009, Sapporo. + B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``GaAs/GaAsP Core-Shell Nanowire Lasers'', the 2nd International Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology Based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2009), Sapporo, Japan, January 20-21, 2009. **研究会 [#pf81872f] +申 武雄・池辺将之・本久順一・佐野栄一： 「TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性」 +申 武雄,桜谷 直史,池辺 将之,本久 順一,佐野 栄一： 「遅延線路を用いたCMOSイメージセンサ用高速シングルスロープAD変換器の検討」 +牧原 幸伸,池辺 将之,本久 順一,佐野 栄一： 「発振器雑音に対する周期比較方式PLL動作の解析」 +下山荘介・池辺将之・五十嵐正樹・本久順一 「局所領域サイズに依存しない高速局所コントラスト補正手法の検討」 **学会 [#j8b46360] +冨岡克広，田中智隆，本久順一，原真二郎，比留間健之，福井孝志： 「AlGaAs/GaAsコア・マルチシェルナノワイヤ発光ダイオードの作製とSi基板上への集積化」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +田中智隆，冨岡克広，本久順一，原真二郎，福井孝志： 「シリコン基板上のInAsナノワイヤ縦型サラウンディングゲートFETの作製」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +笹倉弘理，熊野英和，末宗幾夫，本久順一，小林靖典，冨岡克広，福井孝志： 「1.2μm帯単光子源としての単一InP/InAsP/InPナノワイヤ量子ドット発光のコヒーレンス測定」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +吉村正利，冨岡克広，比留間健之，原真二郎，本久順一、福井孝志 「GaAs(111)B上にMOVPE選択成長されたInGaAsナノワイヤの成長温度依存性評価」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +林田 淳，佐藤拓也，原真二郎，本久順一，比留間健之，福井孝志：「MOVPE選択成長法による縦方向ヘテロ接合ナノワイヤの成長条件検討（III）」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +冨岡克広，本久順一，原真二郎，比留間健之，福井孝志：「シリコン基板上のGaAsナノワイヤ成長：コヒーレント成長の実現」、第70回応用物理学会学術講演会, 富山, 2009年9月. +申 武雄・池辺将之・牧原幸伸・本久順一・佐野栄一： 「複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器」電子情報通信学会2009秋ソサイエティ大会 +北内悠介，小林靖典，福井孝志，本久順一：「有機金属気相選択成長InPナノワイヤの成長モードと構造相転移」, 第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波, 2009年3月. +林田 淳，吉田 浩惇，佐藤 拓也，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「AlGaAs/GaAs縦方向ヘテロ接合に向けたAlGaAsナノワイヤの成長方向制御」, 第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波, 2009年3月. +山本拓良・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「ディレイライン上で記憶保持を行う Time-to-Digital Converterの高性能化」、電子情報通信学会2009年総合大会、2009年3月、松山市 + 高田裕介・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響」、電子情報通信学会2009年総合大会、2009年3月、松山市 +大野正輝・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「オンチップアンテナの特性に即した低雑音増幅器の広帯域化の検討」、電子情報通信学会2009年総合大会、2009年3月、松山市 +牧原幸伸・池辺将之・本久順一・佐野栄一：「周期比較方式PLLにおける発振器雑音の影響」、電子情報通信学会2009年総合大会、2009年3月、松山市 + 下山荘介・五十嵐正樹・池辺将之・本久順一「 局所的ダイナミックレンジ圧縮手法の高速化と高画質化」、電子情報通信学会2009年総合大会、2009年3月、松山市 + 井上理樹、佐藤拓也、池辺将之、福井孝志、本久順一：「熱ナノインプリントを利用した微細加工に関する検討」, 第44回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 函館, 2009年1月. + 田中 智隆，冨岡 克広，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「MOVPE選択成長法によるInAsナノワイヤの2端子I-V測定とそのFET応用の検討」, 第44回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 函館, 2009年1月. +林田 淳，吉田 浩惇，佐藤 拓也，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「MOVPE選択成長法による縦方向ヘテロ接合ナノワイヤの作製」, 第44回応用物理学会北海道支部/第5回日本光学会北海道地区合同学術講演会, 函館, 2009年1月. *2008 [#mdb35a2e] **学会・研究会特別講演 [#r786deeb] + 本久 順一:「有機金属気相選択成長による半導体ナノワイヤの形成」(招待講演)、第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)、2008年11月、仙台 +比留間 健之，原 真二郎，本久 順一，福井 孝志：「有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤの成長とその成長機構」(招待講演), 化学工学会 第40回秋季大会 (SCEJ), 仙台, 2008年 +本久 順一，原 真二郎，比留間 健之，福井 孝志：「化合物半導体ナノワイヤとデバイス応用」(招待講演),日本真空協会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会 第109回定例会, 東京, 2008年7月24日, pp. 29-37. **日本語論文・著書 [#g558a8d4] +冨岡 克広，佐藤 拓也，原 真二郎，本久 順一，福井 孝志：「MOVPE選択成長法を用いたIII-V族化合物半導体ナノワイヤの形成」, 表面科学, 第29巻, 第12号, pp. 726-730 (2008) **国際会議 [#v3ed04ec] +B. Hua, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Near-Infrared Lasers in GaAs/GaAsP Coaxial Core-Shell Nanowires'', the 2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, December 1-5, 2008, LL16.6. +K. Hiruma, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: ``Growth Mechanism of GaAs Nanowires using Catalyst-Free Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy'', the 2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, December 1-5, 2008, LL3.2. + K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui:``Vertical III-V Nanowire Growth on Si Substrate by Selective-Area MOVPE'', the 2008 Material Research Society (MRS) Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA, December 1-5, 2008, LL13.8. +H. Yoshida, T. Sato, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui: ``Analysis of the Twin Defects Occurring in GaAs Nanowires Grown by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy'', the 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-5), Tokyo, Japan, November 9-13, 2008, p. 262. + Yasunori Kobayashi, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui and Junichi Motohisa: ``Composition Controlled InAsP/InP anowires Fabricated by Selective-Area Metaloganic Vapor Phase Epitaxy'', IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Kyoto, Japan, October 20-22, 2008. + Junichi Motohisa, Masayasu Fukui Yasunori Kobayashi and Takashi Fukui: ``Spectroscopy and imaging of GaAs/InGaAs/GaAs nanowires grown by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy'', the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2008), Tsukuba, Japan, September 23-26, 2008. +K. Hiruma, K. Ikejiri, T. Sato, H. Yoshida, S. Hara, J. Motohisa and T. Fukui: ``Competitive Growth Process of Tetrahedrons and Hexagons during GaAs Nanowire Formation by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy'', the 3rd International Workshop on Nanowire Growth Mechanisms, Duisburg, Germany, September 15-16, 2008, p. 11. +J. Motohisa, M. Fukui, and Y. Kobayashi: ``Spectrally and Spatially Resolved Photoluminescence Study on Electronic States in Single Heterostructured Nanowires'', the 29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2008), Rio de Janeiro, Brazil, July 27- August 1, 2008. +T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Selective-Area MOVPE Growth of InGaAs Nanowires and Their Photoluminescence Characterization'', the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), Izu, Japan, July 9-11, 2008, pp. 37-38. +J. Motohisa, M. Fukui, Y. Kobayashi, and T. Fukui: ``Spectrally and Spatially Resolved Photoluminescence Study on InGaAs/GaAs Heterostructured Nanowires'', the 27th Electronic Materials Symposium (EMS-27), Izu, Japan, July 9-11, 2008. +J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, K. Tomioka, S. Hara and T. Fukui: ``Catalyst-Free Growth and FET Application of (InGa)As Nanowires'', the 66th Device Research Conference (DRC 2008), Santa Barbara, California, USA, June 23-25, 2008. +K. Tomioka, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Position-Controlled Growth of GaAs Nanowires on Si (111) by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy'', the 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), Metz, France, June 1-6, 2008, pp. 91-92. +T. Sato, Y. Kobayashi, J. Motohisa, S. Hara and T. Fukui: ``Fabrication and Optical Characterization of InGaAs Nanowires by Selective-Area MOVPE'', the 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitxy (ICMOVPE-XIV), Metz, France, June 1-6, 2008, pp. 87-88. +J. Motohisa, S. Hashimoto, J. Takeda, A. Tarumi, S. Hara and T. Fukui: ``Selective-Area MOVPE of InP/InGaAs Air-Hole Arrays on InP for Photonic Crystal Applications'', the 14th International Conference on Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIV), Metz, France, June 1-6, 2008, pp. 79-80. +MASAYUKI IKEBE, JUNICHI MOTOHISA, Eiichi Sano: ``A 0.18$\mu$m 3GHz True Single Phase Clocking Divider-by-3 Circuit'', The 7th WSEAS International Conference on CIRCUITS, SYSTEMS, ELECTRONICS, CONTROL \& SIGNAL PROCESSING (CSECS'08), Puerto De La Cruz, Canary Islands, Spain, December 15-17, 2008. +Y. Makihara, M. Ikebe, J. Motohisa, and E. Sano: ``Phase Lock Operation by Clock-Period Comparison for All-Digital PLL'', NDES2008, 1-25, pp49-50, Russia, July.2008 +Masaki Igarashi, Sousuke Shimoyama, Masayuki Ikebe and Junichi Motohisa: ``A Fast Method of Local Histogram Calculation for Image Processing'' International Workshop on Nonlinear Circuits and Signal Processing (NCSP) , pp. 132-135, Mar (2008), Gold coast (Australia). **研究会 [#k9b60a1e] + Bin Hua, Junichi Motohisa, Shinjiroh Hara, Takashi Fukui: ``Optically pumped lasing in single GaAs/GaAsP core-shell nanowires'', 若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム(北海道大学大学院情報科学研究科グローバルCOEプログラム「知の創出を支える次世代IT基盤拠点」), 札幌, 2008年10月. +磯村暢宏, 飯塚完司, 塚本史郎, 本久順一：「分子線エピタキシーを用いたナノ構造の形成及び表面構造の評価」、若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム(北海道大学大学院情報科学研究科グローバルCOEプログラム「知の創出を支える次世代IT基盤拠点」), 札幌, 2008年10月. + 下山荘介, 五十嵐正樹, 池辺将之, 本久順一：「局所ヒストグラム平均化を用いた高速・高品質ダイナミックレンジ圧縮手法の検討」、若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム(北海道大学大学院情報科学研究科グローバルCOEプログラム「知の創出を支える次世代IT基盤拠点」), 札幌, 2008年10月. + 牧原幸伸, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一：「周期比較方式を用いた全ディジタルPLLの研究」、 若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム(北海道大学大学院情報科学研究科グローバルCOEプログラム「知の創出を支える次世代IT基盤拠点」), 札幌, 2008年10月. + 佐藤拓也, 小林靖典, 本久順一, 原真二郎, 福井孝志：「MOVPE選択成長法によるInGaAsナノワイヤの作製と顕微PL測定による組成評価」、若手研究者支援のための産学協同GCOEシンポジウム(北海道大学大学院情報科学研究科グローバルCOEプログラム「知の創出を支える次世代IT基盤拠点」), 札幌, 2008年10月. +牧原幸伸・池辺将之・本久順一・佐野栄一: 「高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作」電子情報通信学会 集積回路研究会 (ICD)情報センシング研究会 (ITE-IST)、 ICD2008-87 pp.165-170、札幌、2008年10月 **学会 [#j8b46360] + 冨岡 克広，小林 靖典，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「MOVPE選択成長法によるSi基板上のGaAs/AlGaAsコア・シェルナノワイヤの作製」, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 2008年9月. + 田中 智隆，冨岡 克広，北内 悠介，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「MOVPE選択成長したInAsナノワイヤの縦型二端子測定」, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 2008年9月. +小林靖典, Maarten Kouwen, 福井孝志, Valery Zwiller, 本久順一:「MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤ中のInAsP量子ドットの作製とその光学評価」, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 2008年9月. + 林田 淳，吉田 浩惇，佐藤 拓也，本久 順一，原 真二郎，福井 孝志：「MOVPE選択成長法による縦方向ヘテロ接合ナノワイヤの成長条件検討」, 第69回応用物理学会学術講演会, 春日井, 2008年 + 高田裕介・池辺将之・本久順一・佐野栄一:「MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討」電子情報通信学会2008ソサイエティ大会、2008年9月、川崎市 *2007 [#y0d772d2]
