| ・ | 松本 悟、枝元 将彰、熊崎 祐介、佐藤 威友，“光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去”, 第64回応用物理学会春期学術講演会, 14a-315-2, パシフィコ横浜，神奈川県横浜市 |
2017
3.14-17 |
|
| ・ | 伊藤 圭亮、張 笑逸、熊崎 祐介、佐藤 威友，“GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について”, 第64回応用物理学会春期学術講演会, 14a-315-1, パシフィコ横浜，神奈川県横浜市 |
2017
3.14-17 |
|
| ・ | 近江 沙也夏、熊崎 祐介、佐藤 威友，“電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ界面の形成(3)”, 第64回応用物理学会春期学術講演会, 15p-P16-7, パシフィコ横浜，神奈川県横浜市 |
2017
3.14-17 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 植村圭佑,佐藤 威友，“電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング”, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 京都大学, 京都市 |
2016
12.12-13 |
|
| ・ | T. Sato, X. Zhang, K. Ito, S. Matsumoto and Y. Kumazaki，“Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications”, IEEE SENSORS 2016, Caribe Royale All-Suite Hotel and Convention Center, Orlando, USA |
2016
10.30-11.2 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, S. Matsumoto, and T. Sato, "Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications", 2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016), Hawaii Convention Center, Honolulu, USA |
2016
10.2-7 |
|
| ・ | S. Omi, Y. Kumazaki, and T. Sato, " Electrochemical Formation and Characterization of Cu2O Films on n-type InP Porous Structures", 2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016), Hawaii Convention Center, Honolulu, USA |
2016
10.2-7 |
|
| ・ | 谷田部 然治、堀 祐臣、馬 万程、Asubar Joel T.、赤澤 正道、佐藤 威友、橋詰 保, “Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors（招待講演）”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-B1-1, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 植村 圭佑, 佐藤 威友, “AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-B1-9, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | 近江 沙也夏、熊崎 祐介、佐藤 威友, “電気化学堆積法による Cu2O/InP 多孔質構造ヘテロ界面の形成”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-P21-24, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | 喜田 弘文、伊藤 圭亮、熊崎 祐介、佐藤 威友、渡久地 政周, “金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成(2)”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-P6-4, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | Xiaoyi Zhang、Keisuke Ito、Hirofumi Kida、Yusuke Kumazaki、Taketomo Sato, “Electrochemical characterization of GaN porous structures for photochemical sensor application”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-P6-3, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | 伊藤 圭亮、張 笑逸、喜田 弘文、熊崎 祐介、佐藤 威友, “電気化学インピーダンス分光法によるGaN多孔質構造の評価”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-P6-1, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 松本 悟、熊崎 祐介、佐藤 威友, “GaN多孔質構造の選択領域形成に関する検討”, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 14a-P6-2, 朱鷺メッセ, 新潟市 |
2016
9.13-16 |
|
| ・ | 張 笑逸、伊藤 圭亮、喜田 弘文、熊崎 祐介、佐藤 威友，“Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response”, 第63回応用物理学会春期学術講演会, 20p-P14-4, 東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都目黒区 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 近江 沙也夏，熊崎 祐介，佐藤 威友，“電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ界面の形成”, 第63回応用物理学会春期学術講演会, 20p-P14-4, 東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都目黒区 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 喜田 弘文，伊藤 圭亮，熊崎 祐介，佐藤 威友，“金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成”, 第63回応用物理学会春期学術講演会, 22a-P4-19, 東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都目黒区 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 枝元 将彰，熊崎 祐介，佐藤 威友，“光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化”, 第63回応用物理学会春期学術講演会, 20p-P9-12, 東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都目黒区 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 熊崎 祐介，松本 悟，佐藤 威友，“異方性ウェットエッチングによるGaN多孔質構造の作製と光学特性評価”, 第63回応用物理学会春期学術講演会, 19p-H121-14, 東京工業大学 大岡山キャンパス，東京都目黒区 |
2016
3.19-22 |
|
| ・ | 喜田 弘文，“MOD法によるGaN表面へのNiO粒子の形成と調査”, 第2回 界面ナノ若手ポスター発表展, 慶應義塾大学 日吉キャンパス，横浜市 |
2016
3.18 |
|
| ・ | 近江 沙也夏, “電気化学的手法によるCu2O/InPヘテロ界面形成と光学特性評価”， 第2回 界面ナノ若手ポスター発表展, 慶應義塾大学 日吉キャンパス，横浜市 |
2016
3.18 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki, M. Edamoto, M. Akazawa and T. Hashizume: “Interface control technologies for high-power GaN transistors: Self-stopping etching of p-GaN layers utilizing electrochemical reactions (invited)", SPIE Photonics West 2016, The Moscone Center, San Francisco, USA |
2016
2.13-18 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki and T. Hashizume, “Photoelectric energy conversion in GaN porous nanostructures formed by electrochemical process (invited)", Energy, Materials and Nanotechnology: The Collaborative Conference on Crystal Growth 2015 (EMN-3CG 2015), Eaton Hotel, Hong Kong, China |
2015
12.9-12 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato, “Size-controlled formation of high-aspect ratio porous nanostructures on GaN substrates utilizing photo-assisted electrochemical etching for photovoltaic applications”, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center, Boston, USA |
2015
11.29-12.4 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, “Effect of High Electric Field on Photoabsorption Properties of GaN Porous Structures”, 228th ECS meeting, Hyatt Regency Phoenix and Phoenix Convention Center, Phoenix, USA |
2015
10.11-15 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, T. Sato and Z. Yatabe, “Formation of Self-aligned Pore Arrays on n-GaN Substrates by Photo-assisted Electrochemical Etching Process”, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan |
2015
9.27-30 |
|
| ・ | 近江 沙也夏, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友，“電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ構造の形成と特性評価” , 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-2H-1, 名古屋国際会議場，名古屋市 |
2015
9.13-16 |
|
| ・ | 喜田 弘文, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友，“光触媒水分解システムを用いたn-GaN多孔質構造の光電気化学的評価” , 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PB2-7, 名古屋国際会議場，名古屋市 |
2015
9.13-16 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 近江 沙也夏, 谷田部 然治, 佐藤 威友，“Cu2O/GaNヘテロ構造の電気化学形成と光学的特性評価” , 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PA13-19, 名古屋国際会議場，名古屋市 |
2015
9.13-16 |
|
| ・ | 枝元 将彰, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友，“裏面光照射電気化学法によるGaN陽極酸化表面の分析”, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-4C-7, 名古屋国際会議場，名古屋市 |
2015
9.13-16 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki and Z. Yatabe, “Electrochemical formation of GaN porous structures for photocatalytic applications (invited)”, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Hida Hotel Plaza, Takayama |
2015
8.23-26 |
|
| ・ | Z. Yatabe, J. Ohira, T. Sato and T. Hashizume, “Influence of dry etching on Al2O3/AlGaN/GaN MOS interface properties”, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Hida Hotel Plaza, Takayama |
2015
8.23-26 |
|
| ・ | H. Kida, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato, “Photoelectrochemical characterization of n-type GaN porous structures for use in photocatalytic water-splitting system”, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Hida Hotel Plaza, Takayama, Japan |
2015
8.23-26 |
|
| ・ | S. Omi, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato, “Electrochemical Formation of Cu2O Films on n-type InP and n-type GaN Substrates” , 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Hida Hotel Plaza, Takayama, Japan |
2015
8.23-26 |
|
| ・ | M. Edamoto, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato and T. Hashizume, “High-selective etching of p-GaN layers on AlGaN/GaN heterostructures by electrochemical process”, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015), Hida Hotel Plaza, Takayama, Japan |
2015
8.23-26 |
|
| ・ | 喜田 弘文, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友, “電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性”, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会/電気学会 フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会, 機会振興会館, 東京都芝区 |
2015
8.3-4 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友, “分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用”, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 豊橋技術科学大学, 豊橋市 |
2015
5.29 |
|
| ・ | 谷田部 然治, 大平 城二, 佐藤 威友, 橋詰 保, “ドライエッチングがAl2O3/AlGaN/GaN MOS界面特性に与える影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-P17-16, 東海大学, 平塚市 |
2015
3.11-14 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 近江 沙也夏, 谷田部 然治, 佐藤 威友, “電気化学堆積法によるCu2O/GaNヘテロ構造の形成と特性評価”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11a-D10-6, 東海大学, 平塚市 |
2015
3.11-14 |
|
| ・ | 宮本 貴雄, 小西 敬太, 佐藤 威友, “デバイス応用に向けた6H-SiC上グラフェンの高品質・多機能化”, 第50回応用物理学会北海道支部学術講演会, B-18, 旭川市勤労者福祉会館，旭川市 |
2015
1.9-10 |
|
| ・ | 渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友, “電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成”, 第50回応用物理学会北海道支部学術講演会, B-27, 旭川市勤労者福祉会館，旭川市 |
2015
1.9-10 |
|
| ・ | K. Konishi, T. Miyamoto, K. Yoh and T. Sato, “Enhanced spin-orbit interaction in the hydrogenated epitaxial graphene on silicon carbide”, 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2014), 7P-11-17, Hukuoka, Japan | 2014 11.4-7 |
|
| ・ | A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato, “Structural Properties and Control of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process”, The 7th International symposium on Surface Science (ISSS 2014), 3PA-41, Shimane, Japan |
2014
11.2-6 |
|
| ・ | T. Miyamoto, K. Konishi , T. Sato, “Correlation between growth time and carrier density in epitaxial graphene on 6H-SiC”, The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS2014), 4PN-14, Shimane, Japan |
2014
11.2-6 |
|
| ・ | T. Sato, A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe: “Electrochemical Formation of GaN Porous Structures Under UV-Light Irradiation for Photoelectrochemical Application”, The 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, Cancun, Mexico |
2014
10.5-9 |
|
| ・ | 渡部 晃生，熊崎祐介，谷田部然治，佐藤威友,“電気化学エッチングを用いた窒化物半導体多孔質構造の形成”, 2014年電気化学会秋期大会, 1M-17, 北海道大学，札幌市 |
2014
9.27-28 |
|
| ・ | 宮本 貴雄, 小西敬太，佐藤 威友,“6H-SiC上グラフェンにおける成長時間とキャリア密度の関係”, 第75回応用物理学会秋期学術講演会, 18p-PA3-23, 北海道大学，札幌市 |
2014
9.17-20 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 渡部 晃生，谷田部 然治, 佐藤 威友,“電気化学エッチングによるGaN多孔質構造の形成と形状制御の向上”, 第75回応用物理学会秋期学術講演会, 18p-A27-1, 北海道大学，札幌市 |
2014
9.17-20 |
|
| ・ | 佐藤 威友, 熊崎 祐介, 渡部 晃生，谷田部 然治“III-V族化合物半導体の電気化学エッチングと微細加工への応用（招待講演）”, 第75回応用物理学会秋期学術講演会, 17p-A14-2, 北海道大学，札幌市 |
2014
9.17-20 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, T. Sato: “Correlation between Structural and Optical Properties of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Etching”, The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), WROCŁAW POLAND | 2014 8.24-29 |
|
| ・ | Z. Yatabe, T. Sato, T. Hashizume: “Interface Trap States in Al2O3/AlGaN/GaN Structure Induced by ICP Etching of AlGaN Surfaces” (invited), The International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014), WROCŁAW POLAND | 2014 8.24-29 |
|
| ・ | 橋詰 保, 西口 賢弥, 谷田部 然治, 佐藤 威友, “界面・バルク電子準位がGaNトランジスタの動作特性に与える影響（招待講演）”, 第1回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」, 東京工業大学, 東京都目黒区 | 2014 7.30 |
|
| ・ | A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato: “Structural control of GaN porous structures for high-sensitive chemical sensors”, The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 (INEC-2014), Sapporo, Japan | 2014 7.28-31 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe: “Electrochemical Formation of III-V Semiconductor Porous Nanostructures (invited)”, The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 (INEC-2014), Sapporo, Japan | 2014 7.28-31 |
|
| ・ | 佐藤 威友, 渡部 晃生，熊崎 祐介, 「電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用」, 公益社団法人電気化学会第81回大会, 大阪府吹田市 |
2014
3.29-31 |
|
| ・ | 佐藤 威友, 赤澤正道, 橋詰 保,「窒化物半導体異種接合の評価と制御（招待講演）」, 平成２６年春期応用物理学会学術講演会, 神奈川県相模原市 |
2014
3.17-20 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 佐藤 威友, 橋詰 保,「AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング」, 平成２６年春期応用物理学会学術講演会, 神奈川県相模原市 | 2014 3.17-20 |
|
| ・ | 佐藤 威友，熊崎 祐介, 渡部 晃生,「III-V族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用（招待講演）」, 表面技術協会第129回講演大会, 千葉県野田市 |
2014
3.13-14 |
|
| ・ | 渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友,「GaN多孔質構造の形状制御と化学センサへの応用」, 第49回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区 合同学術講演会, 北海道札幌市 |
2013
12.9-10 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友,「電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性」, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 大阪府吹田市 |
2013
11.28-29 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe and T. Sato,“Structural and Optical Characterization of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process”, 224th ECS meeting, サンフランシスコ／アメリカ合衆国 |
2013
10.27-11.1 |
|
| ・ | T. Sato, Y. Kumazaki, R. Jinbo and Z. Yatabe,“Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process”, 224th ECS meeting, サンフランシスコ／アメリカ合衆国 | 2013 10.27-11.1 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友, 「GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性」, 平成２５年秋期応用物理学会学術講演会, 京都府京田部市 |
2013
9.16-20 |
|
| ・ | 渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友, 「電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN多孔質ナノ構造の形成」, 平成２５年秋期応用物理学会学術講演会, 京都府京田部市 | 2013 9.16-20 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, N. Azumaishi, H. Ueda, M. Kanechika, H. Tomita, T. Sato and T. Hashizume,“Selective etching of p-GaN layers for normally-off AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process”, 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), ワシントンD.C.／アメリカ合衆国 |
2013
8.25-30 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato, “Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures”, 32nd Electronic Materials Symposium (EMS32), 滋賀県守山市 |
2013
7.10-12 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友, 「電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価」,第 29 回ライックセミナー・第 19 回若手研究者交流会, 北海道小樽市 |
2013
6.15-16 |
|
| ・ | 佐藤 威友, 「電気化学的手法による半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用（招待講演）」,第 29 回ライックセミナー・第 19 回若手研究者交流会, 北海道小樽市 | 2013 6.15-16 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato, “Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures”, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), 兵庫県神戸市 |
2013
5.19-23 |
|
| ・ | 熊崎 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友,「電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換」,電子情報通信学会電子デバイス研究会, 愛知県豊橋市 |
2013
5.16-17 |
|
| ・ | 熊崎祐介，渡部晃生, 谷田部然治, 神保亮平, 佐藤威友,「電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価」, 平成２５年春期応用物理学会学術講演会, 神奈川県厚木市 |
2013
3.27-30 |
|
| ・ | 神保亮平，渡部晃生, 佐藤威友,「InP多孔質構造孔壁表面の機能化による光電変換素子への応用」, 第48回応用物理学会北海道支部/第９回日本光学会北海道地区 合同学術講演会, 北海道釧路市 |
2013
1.11-12 |
|
| ・ | T. Sato, R. Jinbo, Z. Yatabe, “High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures”, 2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Scienc, ホノルル／USA |
2012
10.7-10.12 |
|
| ・ | Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe, T. Sato,“Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, 京都府左京区 |
2012
9.25-9.27 |
|
| ・ | 神保亮平, 今井雄大, 谷田部然治, 佐藤威友, 「ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製」, 平成２４年秋期応用物理学会学術講演会, 愛媛県松山市 |
2012
9.11-9.14 |
|
| ・ | 熊崎祐介, 工藤智人, 谷田部然冶, 佐藤威友, 「pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光学応答特性の評価」, 平成２４年秋期応用物理学会学術講演会, 愛媛県松山市 | 2012 9.11-9.14 |
|
| ・ | 神保亮平, 谷田部然冶, 佐藤威友, 「電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔の位置制御」, 平成２４年春期応用物理学会学術講演会, 東京都新宿区 |
2012
3.15-3.18 |
|
| ・ | T. Kudo, T. Sato,“Photo-electrical response of InP porous structures formed on pn substrates”, 2011 International Symposium on Surface Science, 東京都江戸川区 |
2011
12.11-12.15 |
|
| ・ | R. Jinbo, T. Kudo, T. Sato,“Photoelectric Conversion Devices based on InP Porous Structures”, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials,愛知県名古屋市 |
2011
9.28-9.30 |
|
| ・ | 谷田部然冶, 東石直樹, 佐藤威友, 橋詰保, 「ドライエッチしたGaNおよびAlGaN表面の評価と制御」, 平成２３年秋期応用物理学会学術講演会, 山形県山形市 |
2011
8.29-9.2 |
|
| ・ | 今井雄大, 神保亮平, 谷田部然治, 佐藤威友, 「ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した多孔質構造の形成」, 平成２３年秋期応用物理学会学術講演会, 山形県山形市 | 2011 8.29-9.2 |
|
| ・ | 工藤智人, 佐藤威友, 「pn接合基板に形成したInP多孔質構造の光応答特性」, 平成２３年秋期応用物理学会学術講演会, 山形県山形市 | 2011 8.29-9.2 |
|
| ・ | 神保亮平, 岡崎拓行, 佐藤威友, 「電気化学的手法を用いたInP多孔質構造の形成と光電変換素子への応用」, 平成２３年秋期応用物理学会学術講演会, 山形県山形市 | 2011 8.29-9.2 |
|
| ・ | 今井雄大, 岡崎 拓行, 佐藤 威友, 「ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体パターニング技術」, 平成２３年春期応用物理学関係連合講演会, 神奈川県厚木市 | 2011 3.24-3.27 |
|
| ・ | 工藤 智人, 岡崎 拓行, 佐藤 威友, 「InP多孔質構造を利用した光電変換素子の検討」, 平成２３年春期応用物理学関係連合講演会, 神奈川県厚木市 | 2011 3.24-3.27 |
|
| ・ | 岡崎 拓行, 神保亮平, 佐藤 威友, 「電気化学的手法によるInPポーラス孔壁表面の機能化と電気的特性の評価」, 化学系学協会北海道支部2011年冬季研究発表会, 北海道札幌市 | 2011 2.1-2.2 |
|
| ・ | 工藤 智人, 岡崎 拓行, 佐藤 威友, 「pn 接合基板上に形成したInP 多孔質構造の光応答特性」, 第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区 合同学術講演会, 北海道室蘭市 | 2011 1.7-1.8 |
|
| ・ | 今井 雄大, 岡崎 拓行, 佐藤 威友, 「ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用した半導体マイクロパターニング技術」, 第46回応用物理学会北海道支部/第7回日本光学会北海道地区 合同学術講演会, 北海道室蘭市 | 2011 1.7-1.8 |
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| ・ | T. Sato, N. Yoshizawa, “High-Sensitive ISFETs based on InP Porous Structures”, The 61st Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry (ISE), ニース／フランス | 2010 9.26-10.1 |
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| ・ | 佐藤威友, 岡崎拓行, 「InP多孔質構造の光吸収特性と光電変換」, 平成２２年秋期応用物理学会学術講演会, 長崎県長崎市 | 2010 9.14-9.17 |
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| ・ | 佐藤威友, 岡崎拓行, 「多孔質構造を有するイオン感応性電界効果トランジスタ」, 平成２２年秋期応用物理学会学術講演会, 長崎県長崎市 | 2010 9.14-9.17 |
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| ・ | 岡崎拓行, 佐藤威友, 「電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と孔壁表面の機能化」, 平成２２年秋期応用物理学会学術講演会, 長崎県長崎市 | 2010 9.14-9.17 |
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| ・ | 今井雄大，岡崎拓行, 佐藤威友, 「ポリスチレン微小球の自己組織化配列を利用したマイクロパター二ングと半導体微細加工への応用」, 平成２２年秋期応用物理学会学術講演会, 長崎県長崎市 | 2010 9.14-9.17 |
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| ・ | 工藤智人，岡崎拓行, 佐藤威友, 「pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の電気的評価」, 平成２２年秋期応用物理学会学術講演会, 長崎県長崎市 | 2010 9.14-9.17 |
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| ・ | H. Okazaki, T. Sato and T. Hashizume, “Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices”, 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 東京都目黒区 | 2010 6.30-7.2 |
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| ・ | 佐藤威友, 吉澤直樹, 岡崎拓行, 橋詰保, 「電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用」, 電子情報通信学会：電子デバイス研究会, 石川県能美市 | 2010 6.17-6.18 |
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| ・ | H. Okazaki, T. Sato, N. Yoshizawa and T. Hashizume, “Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on P-N Substrates”, 2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 香川県高松市 | 2010 5.31-6.4 |
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| ・ | 岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学的手法を用いて形成したInPポーラス構造の電気的特性」, 平成２２年春期応用物理学関係連合講演会, 神奈川県平塚市 | 2010 3.17-3.20 |
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| ・ | T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume, “Optical and Electrical Properties of InP Porous Structures Formed on p-n Substrates”, 2010 International RCIQE/CREST Joint Workshop, 札幌市 | 2010 3.1-3.2 |
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| ・ | 岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 「InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状および位置の制御」, 平成２２第４５回応用物理学会北海道支部／第６回日本光学会北海道支部合同学術講演, 札幌市 | 2010 1.8-1.9 |
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| ・ | 吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保,「InP-pn接合基板へのポーラス構造形成および電気的特性評価」, 平成２２第４５回応用物理学会北海道支部／第６回日本光学会北海道支部合同学術講演, 札幌市 | 2010 1.8-1.9 |
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| ・ | T. Sato, N. Yoshizawa, H. Okazaki and T. Hashizume, “Low Reflectance Surface Observed on InP Porous Structures after Photoelectrochemical Etching”, 216th Meeting of the Electrochemical Society (ECS), ウィーン／オーストリア | 2009 10.4-10.9 |
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| ・ | 吉澤直樹, 岡崎拓行, 佐藤威友, 橋詰保, 「ポーラス構造を形成したInP-pn接合基板の電気的特性」, 平成２１年秋期応用物理学会学術講演会, 富山県富山市 | 2009 9.8-9.11 |
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| ・ | 岡崎拓行, 吉澤直樹, 佐藤威友, 「InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と形状制御」, 平成２１年秋期応用物理学会学術講演会, 富山県富山市 | 2009 9.8-9.11 |
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| ・ | T. Sato, N. Yoshizawa, H. Okazaki and T. Hashizume, “Formation and application of InP porous structures on p-n substrates”, 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 釜山／韓国 | 2009 6.24-6.26 |
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| ・ | 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保, 「InP-pn接合基板へのポーラス構造作製と評価」, 平成２１年春期応用物理学関係連合講演会, 茨城県つくば市 | 2009 3.30-4.2 |
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| ・ | T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume, “Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures”, 2009 RCIQE International Seminar on “Advanced Semiconductor Materials and Devices”, 札幌市 | 2009 3.2-3.3 |
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| ・ | N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume, “pH Response Characteristics of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Open-gate FETs”, 2009 RCIQE International Seminar on “Advanced Semiconductor Materials and Devices”, 札幌市 | 2009 3.2-3.3 |
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| ・ | N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume, “pH Sensitivity of Liquid-phase Chemical Sensors using InP Open-gate FETs”, International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS5), 東京都新宿区 | 2008 11.9-11.13 |
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| ・ | N. Yoshizawa, T. Sato, A. Mizohata and T. Hashizume, “Liquid-phase Chemical Sensors using InP-based Open-gate FETs”, THE SEVENTH IEEE CONFERENCE ON SENSORS (IEEE SENSORS 2008), レッチェ／イタリア | 2008 10.26-10.29 |
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| ・ | T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume, “Complete Removal of Irregular Top Layer forSensor Applications of InP Porous Nanostructures”, 214th Meeting of the Electrochemical Society, ホノルル／USA | 2008 10.12-10.17 |
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| ・ | 吉澤直樹, 溝畑彰規, 佐藤威友, 橋詰保, 「InPイオン感応性電界効果トランジスタのpH応答特性」,平成２０年秋期応用物理学会学術講演会, 愛知県春日井市 | 2008 9.2-9.5 |
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| ・ | 溝畑彰規, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保, 「InPポーラス構造を基盤とする電流検出型化学センサの作製」, 平成２０年秋期応用物理学会学術講演会, 愛知県春日井市 | 2008 9.2-9.5 |
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| ・ | 佐藤威友, 溝畑彰規, 吉澤直樹, 橋詰保, 「電気化学プロセスによるInPポーラス構造の形成と縦および横方向へのエッチング制御」, 平成２０年秋期応用物理学会学術講演会, 愛知県春日井市 | 2008 9.2-9.5 |
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| ・ | A. Mizohata, N. Yoshizawa, T.Sato and T. Hashizume, “Electrochemical formation and functionalization of InP porous nanostructures and their application to chemical sensors”, 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 札幌市 | 2008 7.9-7.11 |
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| ・ | 溝畑彰規, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学的手法によるInP表面の機能性修飾と電流検出型化学センサへの応用」, 平成２０年春季応用物理学関係連合講演会, 千葉県船橋市 | 2008 3.27-3.30 |
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| ・ | 塩崎奈々子, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学的手法による GaN表面酸化膜形成と表面安定化への応用」, 平成２０年春季応用物理学関係連合講演会, 千葉県船橋市 | 2008 3.27-3.30 |
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| ・ | T. Sato, A. Mizohata, N. Yoshizawa and T. Hashizume, "Electrochemical formation and sensor application of highly-ordered InP nanostructures", 2008 RCIQE International Seminar on "Advanced Semiconductor Materials and Devices", 札幌市 | 2008 3.3-3.4 |
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| ・ | 溝畑彰規, 吉澤直樹, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学的手法によるInP表面の機能性修飾と化学センサへの応用」, 平成２０第４３回応用物理学会北海道支部／第４回日本光学会北海道支部合同学術講演, 札幌市 | 2008 1.10-1.11 |
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| ・ | T. Sato, T. Fujino, A. Mizohata and T. Hashizume, “Electrochemical formation of InP porous nanostructures and its application to amperometric chemical sensors”, 2007 European Materials Research Society Fall Meeting, ワルシャワ／ポーランド | 2007 9.17-9.21 |
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| ・ | T. Sato, T. Fujino and T. Hashizume, “Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures”, 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), 慶州／韓国 | 2007 6.25-6.27 |
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| ・ | 佐藤威友, 溝畑彰規, 橋詰保, 「電気化学的手法によるInPポーラスナノ構造の形成と化学センサへの応用」, 平成１９年秋期応用物理学会学術講演会, 札幌市 | 2007 9.4-9.8 |
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| ・ | 佐藤威友, 藤野敏幸, 橋詰保, 「二段階電気化学プロセスによるInPナノ構造の形成とサイズ制御」, 平成１９年春季応用物理学関係連合講演会, 神奈川県相模原市 | 2007 3.27-3.30 |
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| ・ | 塩崎奈々子, 佐藤威友, 橋詰保, 「グリコール水溶液を用いた電気化学プロセスによるGaN表面酸化薄膜の形成」, 平成１９年春季応用物理学関係連合講演会, 神奈川県相模原市 | 2007 3.27-3.30 |
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| ・ | T. Sato, T. Fujino and T. Hashizume, “Self-assembled Formation of Uniform Arrays of InP Nanopores and Nanowires by Electrochemical Process”, 210th Meeting of the Electrochemical Society, カンクン／メキシコ | 2006 10.29-11.3 |
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| ・ | T. Fujino, T. Sato and T. Hashizume, “Optical Properties of Size-controlled Porous Nanostructures Formed on n-InP (001) Substrates by Electrochemical Process”, 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, 神奈川県横浜市 | 2006 9.13-9.15 |
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| ・ | T. Kokawa, T. Sato and T. Hashizume, "Performance of open-gate AlGaN/GaN HFET in various kinds of liquids", 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, 神奈川県横浜市 | 2006 9.13-9.15 |
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| ・ | 藤野敏幸, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学的連続プロセスによるInPポーラス構造のサイズ制御」, 平成１８年秋期応用物理学会学術講演会, 滋賀県草津市 | 2006 8.29-9.1 |
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| ・ | 塩崎奈々子, 佐藤威友, 橋詰保, 「電気化学プロセスを施したGaNおよびAlGaN表面構造の評価」, 平成１８年秋期応用物理学会学術講演会, 滋賀県草津市 | 2006 8.29-9.1 |
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| ・ | 古川拓也, 佐藤威友, 橋詰保, 「AlGaN/GaNオープンゲートHFETの溶液中でのふるまい」, 平成１８年秋期応用物理学会学術講演会、滋賀県草津市 | 2006 8.29-9.1 |