Profile

Taketomo Sato, Associate Professor, RCIQE, Hokkaido Univ.


	佐藤威友（さとうたけとも）北海道大学　量子集積エレクトロニクス研究センター　　　　　　量子知能デバイス研究室／准教授　（大学院情報科学研究科　情報エレクトロニクス専攻協力講座）　　e-mail: taketomo[at]rciqe.hokudai.ac.jp 　　内線：7175，量集センター３０２室	【研究者データベース】　・北海道大学研究者総覧　・researchmap

■研究内容

　ガリウムヒ素（GaAs）、インジウムリン（InP）、窒化ガリウム（GaN）といったIII-V族化合物半導体を対象に、半導体ナノ構造の作製と応用に関する研究を行っています。 詳細は、量子集積エレクトロニクス研究センター電気化学プロセスGr.ページをご覧ください。

[1]電気化学的手法による半導体ナノ構造(ポーラス構造／ナノショットキー電極)の自己組織化形成
[2]半導体ナノ構造を利用した高効率エネルギー変換素子の開発
[3]光支援電気化学プロセスによる窒化物半導体表面の低損傷エッチング

■担当講義

	講義名	開講時期	お知らせ等
全学共通 (1年)	自然科学実験「物理学」	春，夏ターム
工学部情報エレクトロニクス学科 (2年)	応用数学１	春，夏ターム
工学部情報エレクトロニクス学科電気電子工学コース(2年)	電気電子工学実験基礎テーマ２：電気計測の基礎	秋，冬ターム
大学院情報科学研究科	先端デバイス学特論	秋ターム

■略歴

1998.4 ～ 2001.3
2001.4 ～ 2001.9
2001.10 ～ 2003.3
2003.4 ～2007.3
2007.4～現在

日本学術振興会特別研究員（DC1）／北海道大学工学研究科電子情報工学専攻博士後期課程修了
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター／研究機関研究員
北海道大学大学院工学研究科／助手
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター／助教授
同研究センター／准教授

■所属学会

■受賞歴

1997.12.19
　
2000.11.20

平成9年度電気関係学会北海道支部会『若手講演者賞』受賞
　講演題目『In situ 電気化学プロセスを用いたショットキー障壁の形成』
第61回秋期応用物理学会学術講演会『講演奨励賞』受賞
　講演題目『化合物半導体ナノショットキー界面の電気的特性とその制御』