GaN/AlGaN hexagonal wire network

RF-MBE選択成長法により形成したGaN/AlGaN細線ネットワーク。(a)GaN(0001)面の３つの等価な {11-20}方向を組み合わせることにより、対称性の優れたヘキサゴナルネットワークが形成される。(b)カソードルミネッセンスによる評価の結果、細線部において、量子閉じ込め効果に起因するブルーシフト（高エネルギー側へのシフト）を観測した。