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| MBE選択成長法を用いてGaAs(001)基板、GaAs(111)B基板に形成したヘキサゴナル細線ネットワーク。異なる細線方向(a)(b)を組み合わせた六角形型加工基板上へMBE成長することにより、量子細線のネットワークが形成される。量子集積回路(Q-LSI)や高感度センサーの実装基板として期待される。 |
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Copyright 2005. Taketomo Sato. All rights reserved.
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| MBE選択成長法を用いてGaAs(001)基板、GaAs(111)B基板に形成したヘキサゴナル細線ネットワーク。異なる細線方向(a)(b)を組み合わせた六角形型加工基板上へMBE成長することにより、量子細線のネットワークが形成される。量子集積回路(Q-LSI)や高感度センサーの実装基板として期待される。 |
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