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| 電気化学プロセスによりn-InP基板上に形成したポーラス（多孔質）構造。形の整った孔が高密度に整列している。直径数10nmの開口に対し、深さ数10um以上の高アスペクト比構造が形成される。直線性は極めて高い。 |
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Copyright 2005. Taketomo Sato. All rights reserved.
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| 電気化学プロセスによりn-InP基板上に形成したポーラス（多孔質）構造。形の整った孔が高密度に整列している。直径数10nmの開口に対し、深さ数10um以上の高アスペクト比構造が形成される。直線性は極めて高い。 |
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