Pt nanoparticles formed on n-type semiconductor substrates

(a)電気化学プロセスによりn-InP基板上に形成した直径数10nmのPt微粒子と(b)位置制御されたPtドットアレイ。(c)ナノプローブにより測定した単一Ptドットの電流-電圧特性は整流性を示す（ショットキー障壁の形成）。