Yoshinori Kohashi 小橋 義典 (1986-2014) (as a Researcher. See http://ky20140820.tumblr.com for his activity as a Musician)

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(平成25年3月 第60回応用物理学会春季学術講演会にて。応用物理学会の許可を得てfacebookより転載。 ただし、当研究室の技術で若干コントラストを調整しています。 オリジナルはこちら。)

学位: 北海道大学 博士(工学)

"Growth Dynamics and Applications of Selectively-Grown InGaAs? Nanowires" (有機金属気相選択成長法によるInGaAs?ナノワイヤの成長ダイナミクスと素子応用に関する研究)

研究業績

  • 学会誌論文
  1. Junichi Motohisa, Yoshinori Kohashi , and Satoshi Maeda: "Far-Field Emission Patterns of Nanowire Light-Emitting Diodes", Nano Lett., 2014, 14 (6), pp 3653–3660.
  2. Yoshinori Kohashi, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa: "Composition-dependent growth dynamics of selectively grown InGaAs? nanowires", Mater. Res. Express 1 015036 (2014).
  3. Yuta Kobayashi, Yoshinori Kohashi, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa: "Selective-Area Growth of InAs? Nanowires with Metal/Dielectric Composite Mask and Their Application to Vertical Surrounding-Gate Field-Effect Transistors", Appl. Phys. Express 6 (2013) 045001.
  4. Yoshinori Kohashi, Shinya Sakita, Shinjiroh Hara, and Junichi Motohisa: “Pitch-Independent Realization of 30-nm-Diameter InGaAs? Nanowire Arrays by Two-Step Growth Method in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, Appl. Phys. Express, Vol. 6, No. 2, 025502 (3 pages) (2013).
  5. Yoshinori Kohashi, Takuya Sato, Keitaro Ikejiri, Katsuhiro Tomioka, Shinjiroh Hara, and Junichi Motohisa: "Influence of growth temperature on growth of InGaAs? nanowires in selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy", Journal of Crystal Growth 338, pp.47-51(2012) .
  • 査読付国際会議発表
  1. Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Composition-dependent Growth Dynamics of InGaAs? Nanowires in Selective-area Metal-organic Vapor-phase Epitaxy”, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Hawaii, USA, December, 2013.[Oral]
  2. S.Yanase, Y.Kohashi, K.Iejiri, S.Hara, J.Motohisa "A New Growth Mode of InP Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy"International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Hawaii, USA, December, 2013.[Poster]
  3. Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Influence of V/III on the Growth of InGaAs? Nanowires in Selective-area MOVPE”, 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), Kobe, Japan, May, 2013. [Oral]
  4. Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, J. Motohisa, “Selective-area growth of highly uniform and thin InGaAs? Nanowires by two-step growth method”, 2012 Materials research society Fall Meeting (2012 MRS Fall Meeting), Boston, USA, November, 2012. [Poster]
  5. Y. Kohashi, Y. Kobayashi, M. Yatago, S. Hara, J. Motohisa, “Fabrication of highly uniform InGaAs? nanowires in 30nm-diameter openings with lower density in Selective-area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, 31st Electronic Materials Symposium (EMS 31), Shizuoka, Japan, July, 2012. [Poster]
  6. Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, J. Motohisa, “Control of Diameter and Pitch of InGaAs? Nanowire Arrays in Selective-area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan, September, 2012. [Oral]
  7. Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Effect of Growth Temperature on the Growth of InGaAs? Nanowires in Selective-Area MOVPE”, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2011), Hawaii, USA, December, 2011. [Poster]
  8. Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa,“Study on the growth of In-rich InGaAs? nanowires by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy”, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi, Japan, September, 2011. [Oral]
  9. Y. Kohashi, T. Sato, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa,“Composition-dependent growth dynamics of InGaAs? nanowires in Selective-area MOVPE”, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011), Berlin, Germany, May, 2011. [Oral]
  10. Y. Kohashi, T. Sato, K. Tomioka, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa, “Electrical Characterization of InGaAs? nanowire MISFETs Fabricated by Dielectric-first Process”,29th Electronic Materials Symposium, shizuoka, Japan, July, 2010. [Poster]
  11. Y. Kohashi, T. Sato, K. Tomioka, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa, “Electrical Characterization of InGaAs? nanowire MISFETs Fabricated by Dielectric-first Process”, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), Tokyo, Japan, September, 2010. [Oral]
  • 国内会議
  1. 小橋 義典, 原 真二郎, 本久 順一, “InGaAs? ナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響”, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月
  2. 小橋 義典, 佐藤 拓也, 原 真二郎, 福井 孝志, 本久 順一, “MOVPE 選択成長法による高 In 供給下における InGaAs? ナノワイヤ形成と成長メカニズムの変化”, 春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月
  3. 小橋 義典, 崎田 晋哉, 原 真二郎, 本久 順一, “2 段階 MOVPE 選択成長による極微細・位置制御 InGaAs? ナノワイヤの形成”, 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月
  4. 柳瀬祥吾、小橋義典、池尻圭太郎、原真二郎、本久順一 "(111)A面上へのSA-MOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長モード", 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月
  5. S.Yanase, Y.Kohashi ,K.Ikejiri, S.Hara, J.Motohisa "Selective growth and characterization of InP Nanowires by Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy" 31st Electronic Materials Symposium (EMS 31), Shizuoka, Japan, July, 2012. [Poster]
  6. 小橋 義典, 佐藤 拓也, 池尻 圭太郎, 冨岡 克広, 原 真二郎, 本久 順一, “MOVPE 選択成長法によるInGaAs? ナノワイヤ成長におけるIII族供給比に依存した成長温度依存性の変化”, 秋季第72回応用物理学関係連合講演会, 山形大学, 2011年8月
  7. 小橋 義典, 佐藤 拓也, 冨岡 克広, 原 真二郎, 福井 孝志, 本久 順一, “誘電体ファーストプロセスによる InGaAs? ナノワイヤMISFETの作製と評価”, 秋季第71回応用物理学関連連合講演会, 長崎大学, 2010年9月
  • 受賞等
  1. 小橋 義典, 原 真二郎, 本久 順一, “InGaAs? ナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響”, ポスターアワード, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月

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Last-modified: 2014-09-02 (火) 09:46:00 (2601d)