![[PukiWiki]](image/pukiwiki.png "[PukiWiki]")
Yoshinori Kohashi 小橋 義典 (1986-2014) (as a Researcher) Yoshinori Kohashi 小橋 義典 (1986-2014) (as a Researcher. See http://ky20140820.tumblr.com for his activity as a Musician) &ref{kohashi2.png}; (平成25年3月 第60回応用物理学会春季学術講演会にて。応用物理学会の許可を得て[[facebook:https://www.facebook.com/media/set/?set=a.173444222808080.1073741830.136445929841243&type=1]]より転載。 ただし、当研究室の技術で若干コントラストを調整しています。 オリジナルは[[こちら:http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~motohisa/pukiwiki/?plugin=attach&pcmd=open&file=kohashi.png&refer=YoshinoriKohashi]]。) 学位: 北海道大学 博士(工学) "Growth Dynamics and Applications of Selectively-Grown InGaAs Nanowires" (有機金属気相選択成長法によるInGaAsナノワイヤの成長ダイナミクスと素子応用に関する研究) 研究業績 -学会誌論文 +Junichi Motohisa, Yoshinori Kohashi , and Satoshi Maeda: "Far-Field Emission Patterns of Nanowire Light-Emitting Diodes", [[Nano Lett., 2014, 14 (6), pp 3653–3660:http://dx.doi.org/10.1021/nl501438r]]. +Yoshinori Kohashi, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa: "Composition-dependent growth dynamics of selectively grown InGaAs nanowires", [[Mater. Res. Express 1 015036 (2014):http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/1/1/015036]]. +Yuta Kobayashi, Yoshinori Kohashi, Shinjiro Hara, and Junichi Motohisa: "Selective-Area Growth of InAs Nanowires with Metal/Dielectric Composite Mask and Their Application to Vertical Surrounding-Gate Field-Effect Transistors", [[Appl. Phys. Express 6 (2013) 045001:http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.045001]]. +Yoshinori Kohashi, Shinya Sakita, Shinjiroh Hara, and Junichi Motohisa: “Pitch-Independent Realization of 30-nm-Diameter InGaAs Nanowire Arrays by Two-Step Growth Method in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy”, [[Appl. Phys. Express, Vol. 6, No. 2, 025502 (3 pages) (2013):http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.025502]]. +Yoshinori Kohashi, Takuya Sato, Keitaro Ikejiri, Katsuhiro Tomioka, Shinjiroh Hara, and Junichi Motohisa: "Influence of growth temperature on growth of InGaAs nanowires in selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy", [[Journal of Crystal Growth 338, pp.47-51(2012) :http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.10.041]]. -査読付国際会議発表 +Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Composition-dependent Growth Dynamics of InGaAs Nanowires in Selective-area Metal-organic Vapor-phase Epitaxy”, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Hawaii, USA, December, 2013.[Oral] +S.Yanase, Y.Kohashi, K.Iejiri, S.Hara, J.Motohisa "A New Growth Mode of InP Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy"International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Hawaii, USA, December, 2013.[Poster] +Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Influence of V/III on the Growth of InGaAs Nanowires in Selective-area MOVPE”, 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), Kobe, Japan, May, 2013. [Oral] +Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, J. Motohisa, “Selective-area growth of highly uniform and thin InGaAs Nanowires by two-step growth method”, 2012 Materials research society Fall Meeting (2012 MRS Fall Meeting), Boston, USA, November, 2012. [Poster] +Y. Kohashi, Y. Kobayashi, M. Yatago, S. Hara, J. Motohisa, “Fabrication of highly uniform InGaAs nanowires in 30nm-diameter openings with lower density in Selective-area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, 31st Electronic Materials Symposium (EMS 31), Shizuoka, Japan, July, 2012. [Poster] +Y. Kohashi, S. Sakita, S. Hara, J. Motohisa, “Control of Diameter and Pitch of InGaAs Nanowire Arrays in Selective-area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan, September, 2012. [Oral] +Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa, “Effect of Growth Temperature on the Growth of InGaAs Nanowires in Selective-Area MOVPE”, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2011), Hawaii, USA, December, 2011. [Poster] +Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa,“Study on the growth of In-rich InGaAs nanowires by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy”, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi, Japan, September, 2011. [Oral] +Y. Kohashi, T. Sato, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa,“Composition-dependent growth dynamics of InGaAs nanowires in Selective-area MOVPE”, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2011), Berlin, Germany, May, 2011. [Oral] +Y. Kohashi, T. Sato, K. Tomioka, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa, “Electrical Characterization of InGaAs nanowire MISFETs Fabricated by Dielectric-first Process”,29th Electronic Materials Symposium, shizuoka, Japan, July, 2010. [Poster] +Y. Kohashi, T. Sato, K. Tomioka, S. Hara, T. Fukui, J. Motohisa, “Electrical Characterization of InGaAs nanowire MISFETs Fabricated by Dielectric-first Process”, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), Tokyo, Japan, September, 2010. [Oral] -国内会議 +小橋 義典, 原 真二郎, 本久 順一, “InGaAs ナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響”, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月 +小橋 義典, 佐藤 拓也, 原 真二郎, 福井 孝志, 本久 順一, “MOVPE 選択成長法による高 In 供給下における InGaAs ナノワイヤ形成と成長メカニズムの変化”, 春季第58回応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月 +小橋 義典, 崎田 晋哉, 原 真二郎, 本久 順一, “2 段階 MOVPE 選択成長による極微細・位置制御 InGaAs ナノワイヤの形成”, 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月 +柳瀬祥吾、小橋義典、池尻圭太郎、原真二郎、本久順一 "(111)A面上へのSA-MOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長モード", 秋季第73回応用物理学関連連合講演会, 松山大学, 2012年9月 +S.Yanase, Y.Kohashi ,K.Ikejiri, S.Hara, J.Motohisa "Selective growth and characterization of InP Nanowires by Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy" 31st Electronic Materials Symposium (EMS 31), Shizuoka, Japan, July, 2012. [Poster] +小橋 義典, 佐藤 拓也, 池尻 圭太郎, 冨岡 克広, 原 真二郎, 本久 順一, “MOVPE 選択成長法によるInGaAs ナノワイヤ成長におけるIII族供給比に依存した成長温度依存性の変化”, 秋季第72回応用物理学関係連合講演会, 山形大学, 2011年8月 +小橋 義典, 佐藤 拓也, 冨岡 克広, 原 真二郎, 福井 孝志, 本久 順一, “誘電体ファーストプロセスによる InGaAs ナノワイヤMISFETの作製と評価”, 秋季第71回応用物理学関連連合講演会, 長崎大学, 2010年9月 -受賞等 +小橋 義典, 原 真二郎, 本久 順一, “InGaAs ナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響”, ポスターアワード, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川工科大学, 2013年3月
