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参考：昨年のプログラム
http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/main/conferences/RCIQEseminar/Summer2003.html

*プログラム案
*2004 RCIQE International Summer Seminar
Date: July 28- 30, 2004.
Venue: "Niseko Ikoi-no-Mura" 
(Aza-Niseko 475, Niseko, Hokkaido 048-1151, Tel: 0136-58-311)
Organizing staff:
-N. Shiozaki, S. Hashimoto, Y. Yamazaki, T. Hashizume, J. Motohisa, M. Akazawa, S. Kasai, T. Sato

|>|July 28 (Wednesday)|
|13:00-13:10|Opening Remarks|
|13:10-15:15|Session I|
|15:15-16:15|Poster Session I|
|16:15-18:15|Session II|
|18:30-|Dinner|
|>|July 29 (Thursday)|
|8:00-9:00|Breakfast|
|9:00-10:00|Session III|
|10:00-11:00|Poster Session II|
|11:00-12:10|Session IV|
|12:10-18:00|Ad Hoc Session|
|18:00-|Banquet|
|>|July 30 (Friday)|
|8:00-9:00|Breakfast|
|9:00-10:05|Session V|
|10:05-10:25|Break|
|10:25-12:05|Session VI|
|12:05-12:10|Closing Remarks|
 
*Technical Program
|>|>|July 28|
||13:00~13:10|Opening Remarks|
||>|Session I: Growth of Nanostructures (125 min)|
||>|Chair: M. Yumoto|
||13:10~13:40|''Takashi Fukui'': Oral 30 min|
|||“MOVPE Growth for Nanostructures”|
||13:40~14:10|''Taketomo Sato'': Oral 30 min|
|||“Selective MBE Growth of GaAs Ridge Nano-wires on Pre-patterned Substrates”|
||14:10~14:30|''Shinjiro Hara'': Oral 20 min|
|||“MOVPE Growth of Magnetic Materials"|
||14:30~14:45|''Takeshi Kimura'': Oral 15 min|
|||“Selective MBE Growth of InP-Based Hexagonal Network Structures”|
||14:45~15:00|''Takeshi Oikawa'': Oral 15 min|
|||“MBE Growth and Characterization of GaN-Based Materials”|
||15:00~15:15|''Shinji Hashimoto'': Oral 15 min|
|||“Selectnive Area MOVPE Growth for InP-Based Photonic Crystals”|
||15:15~16:15|''Poster Session I'' (60 min)|
||>|Session II: Communication and Sensing Devices and Systems (120 min)|
||>|Chair: D. Nataraj|
||16:15~16:45|''Eiichi Sano'': Oral 30 min|
|||“High-speed Circuits and Devices for Telecommunication Systems”|
||16:45~17:15|''Tamotsu Hashizume'': Oral 30 min|
|||“Widgap Electron Devices”|
||17:15~17:45|''Masauki Ikebe'': Oral 30 min|
|||(Title to be announced)|
||17:45~18:00|''Yuusuke Yamazaki'': Oral 15 min|
|||“Electro-Optic Sampling”|
||18:00~18:15|''Kazushi Matsuo'': Oral 15 min|
|||“Hydrogen Sensor Using GaN-Based Materials”|
|>|>|July 29|
||>|Session III: Special Lecture (60min)|
||>|Chair: Hashim Manaf|
||9:00~10:00|''Hideaki Takayanagi'': Oral 60 min|
|||“Physics of Andreev Reflection at Superconductor-Semiconductor Interfaces”|
||10:00~11:00|''Poster Session II'' (60min)|
||>|Session IV: Optical and Electronic Devices (70min)|
||>|Chair: I. Tamai|
||11:00~11:30|''Masamichi Akazawa'': Oral 30 min|
|||“Generation and Detection of Terahertz Wave”|
||11:30~11:50|''Lin Yang'': Oral 20 min|
|||“Photonic Crystals and Their Applications”|
||11:50~12:10|''Junichiro Takeda'': Oral 20 min|
|||“MOVPE growth of Photonic Crystals”|
||12:10~18:00|Ad Hoc Session|
|>|>| July 30|
||>|Session V: Surfaces and Interfaces (65 min)|
||>|Chair: N. Ooike|
||9:00~9:30|''Hideki Hasegawa'': Oral 30 min|
|||“Properties of Surfaces and Interfaces in Semiconductors”|
||9:30~9:50|''Jia Rui'': Oral 20 min|
|||“Side-Gating Effect in Small-Scale FETs”|
||9:50~10:05|''Nanako Shiozaki'': Oral 15 min|
|||“Passivation of Quantum Wires”|
||10:05~10:25|Break|
||>|Session VI: Quantum Devices (100 min)|
||>|Chair: J. Takeda|
||10:25~10:55|''Seiya Kasai'': Oral 30 min|
|||“Quantum Nano-devices and Their Integration Technology for Next Generation Electronics”|
||10:55~11:15|''Devaraj Nataraj'': Oral 20 min|
|||“Single Electron Memory by SA-MOPVE”|
||11:15~11:35|''Miki Yumoto'': Oral 20 min|
|||“Fabrication and Properties of Two-way Branch Switch for BDD Logic Architecture”|
||11:35~11:50|Yohei Natsui: Oral 15 min|
|||“Fabrication of Single Electron Devices and Circuits by SA-MOVPE”|
||11:50-12:05|''Yuuji Abe'': Oral 15 min|
|||“Fabrication of Nanowires”|
||12:05~12:10|Closing remarks|
-
|>|Poster Session I|
|P1-1|''Premila Mohan''|
||“Kagome Lattice and Their Fabrication Utilizing Selective Area MOVPE”|
|P1-2|''Isao Tamai''|
||“Selective MBE Growth of GaAs Quantum Wires on GaAs (111)B”|
|P1-3|''Jinichiro Noborisaka''|
||“Selective Area MOVPE Growth of GaAs Nanowires”|
|P1-4|''Junji Kotani''|
||“Characteristics of Schottky Contacts on GaN”|
|P1-5|''Koji Inafune''|
||“”|
|P1-6|''Hashim Manaf''|
||“”|
|P1-7|''Masaki Igarashi''|
||“Conduction Mechanism and Hall Effect in Semiconductors”|
|P1-8|''Takuya Kokawa''|
||“Current-Voltage Characteristics of Schottky Junctions”|
|P1-9|''Keitaro Ikejiri''|
||“Differential Capacitance and Carrier Density in Schottky Junctions”|
|P1-10|''Hiroshi Osabe''|
||“Light Absorption in Semiconductors and Photodetectors”|
|P1-11|''Takeshi Tamura''|
||“Capacitance-Voltage Characteristics of MOS Structures”|
|P1-12|''Hiroshi Akagi''|
||“Basic Principles of MOS Field Effect Transistors”|
|>|Poster Session II|
|P2-1|''Akira Koike|
||“Principles and Basic Properties of MOVPE Growth”|
|P2-2|''Akihiro Tarumi''|
||“Selective Area MOVPE Growth of InGaAs Air-Hole Arrays for the Application of Photonic Crystals”|
|P2-3|''Noboru Ooike''|
||“Fabrication of Quantum Wires Transistors with Self-aligned Gate by Selective Area MOVPE”|
|P2-4|''Kaneko''|
||“Organic Semiconductor Devies”|
|P2-5|''Takahiro Tamura''|
||“Fabrication and Propeties of GaAs Nanowires”|
|P2-6|''Takeshi Tanaka''|
||“”|
|P2-7|''Kentaro Maeno''|
||“Current-Voltage Characteristics of Schottky Junctions”|
|P2-8|''Tatsuya Nakamura''|
||“Light Emission in Semiconductors and Light Emitting Devices”|
|P2-11|''Hiroki Kato''|
||“Current-Voltage Characteristics of pn-Junction Diode”|
|P2-10|''Toshiyuki Fujino''|
||“Basic Principles of MOS Field Effect Transistors”|
|P2-11|''Kouji Iida''|
||“Operation Principle of Bipolar Transistor”|
|P2-12|''Kyouichi Umezaki''|
||“Spins Injection into Semiconductors”|

*口頭発表者のリスト
(カッコ内はタイトル案および発表時間、昨年の時間に習う)
-教員(290分)
--高柳先生(量子情報処理の物理、60分)
--長谷川先生(半導体の表面/界面の特性、30分)
--福井先生(MOPVEについて、30分)
--佐野先生(通信システム用超高速デバイスと回路、30分)
--橋詰先生(広バンドギャップ半導体デバイス、30分)
--葛西先生(量子ナノデバイスとその集積化、30分)
--佐藤先生(MBE選択成長について、30分)
--赤澤先生(THz波の発生と検出、30分)
--原先生(Nanowire の成長と評価、20分)
-研究員(60分)
--Jia (微小デバイスにおけるサイドゲート効果、20分)
--Nataraj(単電子メモリ、20分)
--Yang(フォトニック結晶の基礎と応用、20分)
-M1 (計120分)
--阿部(15分)
--及川(GaN系材料のMBE成長と評価、15分)
--木村(InP系材料によるネットワーク構造のMBE選択成長、15分)
--塩崎(量子細線のパッシベーション、15分)
--松尾(GaN系材料を用いた水素センサ、15分)
--夏井(選択成長による単電子トランジスタの作製と評価、15分)
--橋本(MOVPE選択成長によるフォトニック結晶の作製、15分)
--山崎(電気光学サンプリング、15分)
-DC(計40分)
--湯元(量子細線を用いたBDD2分岐スイッチの作製と評価、20分)
--竹田(MOVPE選択成長によるフォトニック結晶の作製、20分)
-合計290+60+120+40=510分
*ポスター講演者のリスト(計23名)
-研究員
--Mohan、金子、小池
-DC
--湯元、竹田、玉井、ハシム、大池
-M2
--小谷、田村、登坂、垂水、稲船、田中
-B4
--飯田、古川、中村、藤野、前野、加藤、五十嵐、池尻、梅崎、長部、赤木、田村

*コメント
+葛西先生からのコメント
>口頭のトータルが昨年より+90分となるとスケジューリングが厳しそうですね。以下、案です（あまり深く考えていません）。
>
>(1) 本久先生はPCSIで不在ですよね。助教授持ち時間30分とすると、-15分~
>(2) Jiaさんは内容やデータ解釈など難点がいくつかあり、ポスターのほうが無難かもしれません。 -20分~
>(3) M1を12(7+5）分にすると、-21分~
>(4) D3(湯元さん)15分にすると、-5分~
>
>これで計-61分ですが、いかがでしょうか。
+橋詰先生・本久のdiscussionより
>(1) 教員の時間に計算間違いが有りました、また教員の発表時間を30分にしました~
>(2) M1 は15分必要~
>(3) 金子さんはポスター、代わりに竹田君がoral~
>(4) 阿部君が抜けていました。~
これで上記の時間を変更しました。合計410分
*昨年のまとめ
+July 30 (Wednesday)
--13:00-13:10 Opening Remarks
--13:10-15:15 Session I
--15:15-16:15 Poster Session I
--16:15-17:30 Session II
--18:00 Dinner
---oralセッション125+75=200分、ポスター60分
+July 31 (Thursday)
--8:00-9:00 Breakfast
--9:00-10:00 Session III
--10:00-11:00 Poster Session II
--11:00-12:10 Session IV
--12:10-18:00 Ad Hoc Session
--18:00 Banquet
---oralセッション60+70=130分、ポスター60分
+August 1 (Friday)
--8:00-9:00 Breakfast
--9:00-10:05 Session V
--10:05-10:25 Break
--10:25-12:25 Session VI
--12:25-12:30 Closing Remarks
--oralセッション65+120=185分、休憩20分
+oralセッション合計200+130+185=515分
(教員60分x1+教員35分x7+教員20分x1+DC・研究員20分x5+M1 15分x6 =60+245+20+100+90=305+210=515分)
+ポスター25件