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　ガリウムヒ素（GaAs）、インジウムリン（InP）、窒化ガリウム（GaN）といったIII-V族化合物半導体を対象に、半導体ナノ構造の作製と応用に関する研究を行っています。（下の写真をクリックすると拡大します。）

■電気化学的手法による半導体ナノ構造(ポーラス構造／ナノショットキー電極)の自己組織化形成
　種々のイオンを含む電解液と半導体界面における電気化学反応を利用し、半導体表面のエッチングや、金属電極の堆積を行います。印加する電圧や電流量を制御することにより、従来のリソグラフィ加工の限界を超えた微細な半導体ナノ構造の高密度形成が可能となります。

■半導体ナノ構造を利用した高感度化学／バイオセンサーの開発
　様々な気体分子や溶液、DNAなどの生体分子を識別する化学／バイオセンサーを開発しています。独自の技術で形成した半導体高密度ナノ構造をベースにする新しいセンサー構造を提案し、検出感度の向上を目指しています。

■MBE法を用いた選択的結晶成長によるナノ構造の形成
　半導体結晶成長の面方位依存性を利用して、自己組織化的に半導体ナノ構造を形成する技術の開発に取り組んでいます。次世代LSIの実装に向けた高密度量子ナノネットワークや高感度センサーアレイへの応用を目指しています。
　 量子集積エレクトロニクス研究センター/MBEエレクトロニクスGr.および量子知能デバイス研究室/電気化学プロセスGr.ページもご覧ください。
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